IRFB52N15D 英飞凌 功率MOS 现货_半导体_聪超科技
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  • IRFB52N15D 英飞凌 功率MOS 现货

    IPP120N20NFD
    半导体
    ¥ 10 (仅供参考,详询客服)
             
    总部: 0310-2816800   北京:010-66080588
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    - +

    Parametric
    IPP120N20NFD
    Budgetary Price ?€/1k  
    2.08 
    Package  
    TO-220
    VDS  max
    200.0V
    RDS (on)  max
    12.0mΩ
    Polarity  
    N
    ID  max
    84.0A
    Ptot  max
    300.0W
    IDpuls  max
    336.0A
    VGS(th)  min  max
    2.0V  4.0V
    QG  
    65.0nC 
    RthJA  max
    62.0K/W
    Operating Temperature  min
    -55.0°C 
    Pin Count  
    3.0Pins 
    Mounting  
    THT
    Rth  
    0.5K/W 
    RthJC  max
    0.5K/W

    150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package


    优势:

  • RoHS Compliant
  • Industry-leading quality
  • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
  • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses
  • Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design
  • 发现商品存在质量问题,在签收订单之日起30日内联系客服,并提供相关产品检测鉴定书、有质量问题的产品照片等资料。客服会尽快与您联系,商议退换货事宜。

     

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