Infineon IRG4PC50WPBF, N沟道 IGBT 晶体管, 55 A, Vce=600 V, 3针 TO-247AC封装
Infineon IRG4PC50WPBF, N沟道 IGBT 晶体管, 55 A, Vce=600 V, 3针 TO-247AC封装
单 IGBT 超过 21A,Infineon
优化的 IGBT 设计用于中频应用,具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能,带 IGBT

IGBT 晶体管,International Rectifier
International Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
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