IRG4PC50WPBF, N沟道 IGBT 晶体管_半导体_聪超科技
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    IRG4PC50WPBF
    半导体
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    Infineon IRG4PC50WPBF, N沟道 IGBT 晶体管, 55 A, Vce=600 V, 3针 TO-247AC封装

    最大连续集电极电流
    55 A
    最大集电极-发射极电压
    600 V
    最大栅极发射极电压
    ±20V
    封装类型
    TO-247AC
    安装类型
    通孔
    通道类型
    N
    引脚数目
    3
    配置
    晶体管配置
    长度
    15.9mm
    宽度
    5.3mm
    高度
    20.3mm
    尺寸
    15.9 x 5.3 x 20.3mm
    最低工作温度
    -55 °C
    最高工作温度
    +150 °C

    Infineon IRG4PC50WPBF, N沟道 IGBT 晶体管, 55 A, Vce=600 V, 3针 TO-247AC封装

    单 IGBT 超过 21A,Infineon

    优化的 IGBT 设计用于中频应用,具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能,带 IGBT

     

    http://china.rs-online.com/largeimages/L485858-01.jpg

     

    IGBT 晶体管,International Rectifier

    International Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。


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